RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2209
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link