RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2209
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link