RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
51
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2668
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor FSGG45F-D8KMB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link