RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
51
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
49
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2668
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link