RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
51
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2581
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link