RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2581
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link