RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
51
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1999
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link