RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1999
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link