RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3731
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link