RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3225
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link