RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1778
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link