RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
104
Rund um -189% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1778
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link