RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
104
Intorno -189% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
36
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1778
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link