RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3157
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link