RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link