RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link