RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3731
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link