RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3731
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lenovo 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link