RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2782
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link