RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2356
3649
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link