RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
3649
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link