RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1886
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link