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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
42
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2782
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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