RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3045
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link