RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3045
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link