RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
58
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2172
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link