RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
58
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
58
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2172
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link