RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1858
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link