RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1858
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link