RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1763
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link