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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3483
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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