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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3483
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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