RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
51
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2183
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link