RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
51
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2183
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link