RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2927
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link