RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
51
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2927
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link