RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
51
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2353
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link