RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2501
3040
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link