RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2501
3040
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link