RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2711
3564
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link