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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
3564
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
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