RAM-Vergleich Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 38

Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 14.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 10.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2711 2298

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns