RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
1931
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link