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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
41
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2434
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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