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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2434
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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