RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
41
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1210
2430
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link