Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
    Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 41
    Rund um -37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 10
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.0 left arrow 10.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 6.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1210 left arrow 1479
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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