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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1210
1479
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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