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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.2
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
10600
8500
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
41
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10.6
10
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
30
読み出し速度、GB/s
10.0
10.6
書き込み速度、GB/秒
7.2
6.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
8500
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1210
1479
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Frequency (Mhz) *
calculate
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