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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Compara
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1210
1479
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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