Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
    En 1.25% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 41
    En -37% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.0 left arrow 10.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1210 left arrow 1479
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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