RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
8500
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
8500
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1210
1479
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link