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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
10
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
10.0
10.6
写入速度,GB/s
7.2
6.8
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1210
1479
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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