Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
    左右 1.25% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 41
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    10.6 left arrow 10
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    41 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    10.0 left arrow 10.6
  • 写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 6.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1210 left arrow 1479
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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